光刻加工工艺复杂，占据整个芯片制造工艺用时的一半以上，光刻胶就在这一工艺环节扮演了重要角色，它的品质好坏直接决定了加工的稳定性和芯片的良品率。

当今世界光刻胶市场，主流以光刻波长为248nm的KrF和193nm的ArF为主，这一系列的光刻胶技术大多被日本和美国垄断，我国光刻胶近年来也掌握了436nm和365nm光刻波长的技术，逐步从低端向高端发展。

5 湿电子化学品

蚀刻和清洗的重要耗材

湿电子化学品主要用于芯片蚀刻工艺的各个环节，分为超高纯净试剂和功能性材料，如蚀刻液、显影液、极性溶液、氢氟酸、硫酸、双氧水等。

我国的蚀刻技术基本与世界持平，虽然目前湿电子化学品市场依旧主要被欧美日韩等地区企业瓜分，但他们已无法对我们形成垄断，甚至有被我们取代的趋势。

6 电子气体

芯片制造的血液