索尼IMX260

2.5 台积电的混合键合

图示为传统3D封装与台积电的SoIC工艺，主要区别在于SoIC采用混合键合实现了键合面的无凸点。SoIC工艺同样能用于自家的WoW、CoW、CoC等键合场景。

在实际效果上，SoIC拥有比凸点倒装具有更好的电气性能，其嵌入损耗几乎为零，从线路密度来说，由于SoIC无凸点的特点，其密度比传统倒装工艺高出了4个数量级，而且平整的键合面也规避了由于高密度焊接带来的封装面结构可靠性问题。

台积电SoIC vs “传统”3D封装

2.6 英特尔的混合键合

英特尔于2020年展示了FOVEROS 传统μbump倒装芯片的混合键合技术FOVEROS Direct，见下图，其焊盘间距可以达到10μm尺度，使得1mm^2面积可容纳一万个焊盘，相比50μm尺度的μbump倒装芯片提升非常大。

FOVEROS Direct本质上也是键合

三、2D集成电路

最初级的先进封装，只要满足载板上包含两片芯片，就符合定义。换言之，世纪初的胶水CPU也算是先进封装。

先进封装早期出道作品

​SiP（System-in-Package）就是一种典型的2D先进封装，例如苹果手表的芯片，就是一大典型产品，由日月光旗下环旭电子提供SiP封装。

四、2.1D封装

2.1D封装的关键在于在2D封装的基础上，在封装载板最上层制作了一层精细金属L/S薄膜层；另一种定义是，在载板最上部分的有机材料层或扇出封装的EMC层内嵌入精细金属L/S重布线层的封装技术，也在2.1D封装的内涵中。

4.1 精细金属L/S薄膜层

所谓多做的那层薄膜，以日本神钢电机SHINKO的一个样品图为例，虽然画质很差，但从图中还是很容易从Thin-flim薄膜层的结构看出来所谓看出来所谓细线宽&线距（以下简称L/S），相比载板最上层（右边放大图的绿色层）的线路尺寸要更小。