之前我就对高通骁龙8的发热问题进行了分析，造成发热的原因无非有三个，一个就是ARM V9的架构有问题，要么就是三星的制程工艺有问题，要么就是高通自己的设计有缺陷。当联发科的天玑9000发布的时候，很快就找到了高通骁龙8的问题，因为两款处理器都拥有X2超大核，都是最新的ARM V9公版架构，唯一不变的就是两款处理器的制程工艺不一样，联发科天玑9000采用了台积电的4nm制程工艺，但是高通骁龙8采用三星的4nm工艺。但是在实际体验上，虽然高通骁龙8的单核性能超过天玑9000，但是多核性能远不如天玑9000，功耗也比骁龙8高约30%。

很遗憾高通骁龙8成为新一代火龙，厂商都吐槽高通摆烂，联发科趁机攻城略地，不断吞食高通的高端市场。其实单从天玑9000来分析高通骁龙8的发热问题不是很全面，因为这其中还有一个高通设计的变量，所以高通在如此大的压力下，迅速转身拥抱台积电，推出台积电版本的4nm工艺制成的高通骁龙8 ,从而扭转目前不利的形势。

国外大神测试的数据，骁龙8 CPU大核功耗性能曲线外显示骁龙8 提升巨大，功耗更低。骁龙8 在GPU频率和CPU处理速度上都获得了10%提升的同时，GPU功耗和CPU能效也降低了30%，有成为新一代「神U」的潜质。这一下就从根本上找到了高通骁龙8发热的原因，那就是三星的4nm制程工艺本身存在着问题。