通过观察光谱图，在400–600 cm−1范围内，可以看到铜和铁氧体的存在，大约443.7 cm−1的峰表示金属阳离子存在于八面体位点，而大约600 cm−1的峰表示金属阳离子存在于四面体位点。

在3437 cm−1附近的波峰表示水分子的存在，这个峰是由水和羟基的伸缩引起的，而在1630 cm−1附近的峰表示水分子的弯曲，在1070、1216和1418 cm−1附近的峰表示共沉淀样品中存在着CO2-3和HCO-3。

通过紫外-可见分光光度计绘制的吸收光谱，对制备的纳米材料，及其复合材料进行了光学分析，光谱范围为200至800 nm，可以从光谱中得到以下信息，CF和ACF的吸收峰位于354和432 nm处，这是由于芳香环中的π-π跃迁引起的。

在274 nm处也观察到了一个尖锐的吸收峰，这是由于C=O键的n-π跃迁引起的，这些吸收峰的存在指示了样品中特定化学键或结构的存在，为了研究材料的晶体结构和结晶性质，科学家们使用了X射线衍射技术。

使用扫描电子显微镜可以观察到表面的形貌，可以看到它呈现出纳米颗粒的形状，并且这些颗粒聚集在一起，图中展示了ACF的SEM图像，与纯样品相比，它也显示出类似的纳米颗粒形貌。

对于铜铁氧体，纳米颗粒的尺寸观察到为12纳米，显示了纳米颗粒之间存在rGO薄片，光催化剂，对有色和无色化合物的光降解反应可以通过带隙来更好地解释。

带隙是一种重要的技术，用于描述半导体材料中从价带到导带的电子转移，半导体的带隙范围为1.23电子伏特到3.26eV。通过Tauc图绘制，可以计算出制备材料的带隙能量。

(αhυ)n=A(hυ−Eg)方程中，α表示吸收光谱，ν代表光能量，h是普朗克常数，能带间隙能量用Eg表示，Tauc图是以hν和(αhν)n为坐标绘制的，铜铁氧体显示出1.36 电子伏特的能带间隙能量，而银掺杂的铜铁氧体的能带间隙能量为1.67 eV。