异质结电池能否以P型硅片作衬底？理论上可以，但实际生产中普遍使用N型硅片：

P型硅片少子寿命低，输出性能弱于N型。

P型硅片能带匹配度不如N型。

N型硅片更容易钝化，钝化以提高开路电压是HIT电池的精髓。

根据隆基官网的N型和P型产品说明书，P型硅片少子寿命大于50微秒，而N型硅片少子寿命大于1000微秒，相差20倍。

在P型半导体中，空穴是主要载流子，简称多子，电子是少数载流子，简称少子。在N型半导体中，电子是主要载流子，简称多子，空穴是少数载流子，简称少子。硅片中Cu、Au以及硼氧对等杂质对电子的俘获能力远远大于对空穴的俘获能力。N型硅片中，少子是空穴，更难被俘获，因此少子寿命更高。

1.3异质结电池生产工艺

异质结电池生产只有四大环节，依次是清洗制绒、非晶硅沉积、TCO沉积、丝印烧结，相较于PERC和TOPCON工序大幅缩短。