说明：Ciss=Cgs Cgd 输入电容
Coss=Cds Cgd 输出电容
Crss=Cgd（米勒电容）
理论是这样的，它们也确实源极，漏极，栅极之间都是存在结电容的，但是我查了好多规格书都没有算出Ciss=Cgs Crss .;当然在实际应用中我们都是只看CISS.
影响：Ciss：影响到MOS管的开关时间，Ciss越大，同样驱动能力下，开通和关断时间就越慢，开关损坏也就越大。较慢的开关速度对应会带来较好的EMI。所以很多高频电路一定要看这个Ciss结电容，开关频率越高选择的结电容就需要越小。
Coss和Crss：这两项参数对MOSFET关断时间略有影响，其中Cgd会影响到漏极有异常高电压时，传输到MOSFET栅极电压能力的大小，对雷击测试项目有一点的影响
MOS的损耗就是它本身的电阻和开关损耗总和，导致它发烫。
如上图，当VDS电压一定时，VGS的电压越高，ID电流越大，说明电阻越小；还有VGS=10V到5V电流基本变，说明管子在VGS为5V时，管子已经接近饱和状态，电阻最小了。
如上图，可以清晰地看出VGS 4.5V的导通电阻要比VGS 10V的要大。关于VGS不变，ID电流变大，电阻变大，这是因为电流大了，发热导致电阻也会稍微变大
如上图，温度越高，会导致VGS的启动电压变低，这也是一些工程师说我在高温环境测试老化，确实管子导通了，但是常温既然开不起。
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