图22.美国应用材料公司的半导体业务(来源：应用材料公司官网)
1967年，贝尔实验室江大原(DawonKahng)和施敏博士(Simon Sze)共同发明了非挥发存储器。这是一种浮栅MOSFET，它是可擦除可编程只读存储器(EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、闪存(Flash)的基础。
图23.普通MOSFET与浮栅MOSFET示意图
1968年，IBM公司的罗伯特.登纳德(Robert H.Dennard)发明单晶体管动态随机存取存储器(DRAM)。发明名称是“一个关于晶体管动态RAM单元的发明”。单晶体管DRAM是一个划时代的发明，它后来成为了计算机内存的标准。Dennard于1997年入选了国家发明家名人堂；2009年获得IEEE荣誉勋章，这是电子电气领域的最高荣誉。
图24.登纳德与单晶体管DRAM示意图
未完待续。
敬请期待【芯论语】科普：图说芯片技术60多年的发展史(中篇)。
后记：1947～1968年的20多年是全球芯片技术和电子工业的起步期，这个时期内创新人才辈出，深远影响的发明层出不穷。晶体管、集成电路、以光刻为核心的硅平面加工技术、CMOS电路、非挥发存储器、单管DRAM电路等发明为芯片技术快速发展打下了基础，为芯片技术沿着摩尔定律前行铺平了道路。但是，人类在走上这条康庄大道之前，从半导体的认识和发现到晶体管的发明，在崎岖的道路上已摸索了114年的时间，其中包括痴迷电子管的40多年时间。科技进步不可能一撮而就，它是一个逐步认识、发现和成熟的过程。
参考资料：
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15.图解芯片技术，集成电路发展史上的十大里程碑事件!电子发烧友：http://www.elecfans.com/d/1490110.html，2021.2.1
16.传感器专家网，光刻机技术到底是谁发明的？腾讯网：https://new.qq.com/rain/a/20210309A0BB0500，2021.3.9
