因为采用了均衡擦写措施，所以颗粒的寿命是容量*擦写寿命算出来的，我自己简单做了一个表格，按照最低擦写寿命，每日50G的写入量来计算硬盘寿命（其实我们一般每日写入都在10G以下）在这个2D堆叠的情况下TLC的寿命是被经常被DISS的方面，只有500~1000次的擦写寿命，256G能用7年有点小失落，但是现在采用3D NAND下，可以用到21年，相信即使主控挂了，颗粒也不可能挂。再看看QLC，2D堆叠下1年不到就挂了，所以后来出了3D堆叠进行改良，所以在相同价格下，选择3D堆叠下的TLC是最具明智选择，既稳定，价格又低。

【最后啰嗦几句】

洋洋洒洒三千多字，基本上把现在能想到的问题都写了出来，我个人的观点和我选择入手的硬盘一样，推荐M.2接口的支持NVMe最好是3D NAND堆叠技术的硬盘，未来是主流，什么MLC寿命论，高速无用论我觉得只是现在暂时的一个情况，即使是升级我愿意换CPU，也可以换主板，升级个内存啥的更是无所谓，但是换一个硬盘实在是太费劲，高速率，能跟上时代潮流的硬盘才是好硬盘。

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